❶ 静态存储器和动态存储器分别利用什么来存储0和1信息
静态存储器是用双稳态二极管存储信息的，其具有速度快，容量小的特点。而动态存储器则是由电容和刷新电路组成，其具有功耗大，存储量大，速度慢的特点。
❷ 静态存储和动态存储的区别
1. 静态内存
静态内存是指在程序开始运行时由编译器分配的内存，它的分配是在程序开始编译时完成的，不占用CPU资源。
程序中的各种变量，在编译时系统已经为其分配了所需的内存空间，当该变量在作用域内使用完毕时，系统会
自动释放所占用的内存空间。
变量的分配与释放，都无须程序员自行考虑。
基本类型，数组
2. 动态内存
用户无法确定空间大小，或者空间太大，栈上无法分配时，会采用动态内存分配。
处理器不工作,电脑什么都做不了。
处理器的工作就是处理指令（多条指令就构成一个程序）。
处理器从内存中取指令集（程序）。
问题是如果断电的话，内存中的指令就会丢失。因而内存归类为“易失性”介质。
所以我们要把程序、数据存储在不易失性的介质中，比如硬盘和光盘。
❸ 动态存储器的优缺点
经验证，动态存储器是采用超大容量的存储技术，但是，其存储组件要求由处理器控制的刷新周期。它与静态存储器等其它存储技术相比，耗电量相对较高。优点： 跟其它类型的存储器相比，每兆比特的价格为最低。
❹ 何为静态存储器、动态存储器，它们的区别是什么
静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表:
静态和动态存储器芯片特性比较
SRAM DRAM
存储信息 触发器 电容
破坏性读出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同时送 分两次送
运行速度 快 慢
集成度 低 高
发热量 大 小
存储成本 高 低
动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作
❺ 何为静态存储器，动态存储器，它们的区别是什么
静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表: 静态和动态存储器芯片特性比较 SRAM DRAM 存储信息 触发器 电容 破坏性读出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同时送 分两次送 运行速度 快 慢 集成度 低 高 发热量 大 小
❻ 静态存储器是靠什么存储信息动态存储器又是靠什么存储信息
静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。
❼ 静态存储器与动态存储器的定义是什么
静态存储器是指依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息的存储器。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。
动态存储器是指在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存。
(7)动态存储器扩展阅读：
动态存储器的工作原理
动态RAM是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。在3管动态RAM电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。
写操作时，写选择线为"1"，Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1"，则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电。此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反。
可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反向再送往数据总线。
❽ 比较动态存储器dram和静态存储器sram的异同点
SRAM中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。
SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。
SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。
从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM：同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。 内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“ 内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保 持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM
❾ 什么是静态存储器什么是动态存储器
静态存储器(SRAM）：读写速度快,成本高,需要电源才能工作,断电信息将丢失,多用于容量较小的高速缓冲存储器.
动态存储器（DRAM）：读写速度较慢,集成度高,成本低,要求配置动态刷新电路,多用于容量较大的主存储器.
❿ 一般的硬盘是动态存储器吗
硬盘上有一个缓存，那个是缓存，RAM，断电就丢失的。硬盘的本体是一个铝合金盘或者玻璃盘，然后上边涂满磁粉，和磁带的原理差不多。所以说硬盘的本体不会断电就丢失数据，但是缓存会。所以要正常关机，让缓存里的东西都写到盘体上之后才能断电源。