❶ 扩散炉的基本结构
扩散炉由控制系统、进出舟系统、炉体加热系统和气体控制系统等组成。 控制部分包括：温控器、功率部件、超温保护部件、系统控制。
系统控制部分有四个独立的计算机控制单元，分别控制每层炉管的推舟、炉温及气路部分，是扩散/氧化系统的控制中心。
辅助控制系统，包括推舟控制装置、保护电路、电路转接控制、三相电源指示灯、照明、净化及抽风开关等。
较先进的扩散炉控制系统均已更新或升级到微机控制，管机与主机间通过串口RS232或网线进行通信。控制系统软件大多基于Windows系统，实用性和可操作性大大提高，能够实现日志记录，曲线记录，程序编辑，远程控制等多种功能。 水平扩散炉进出舟系统有两种方式：1）悬臂桨系统；2）软着陆系统。
悬臂桨系统结构比较简单，SiC桨携带舟和硅片进入石英炉管后，就停留在石英炉管内，直到工艺程序结束，SiC桨就携带舟和硅片慢慢回到原位，悬臂桨系统缺点是桨对炉管温度的均匀性有一定的影响，另外，工艺气体也会对桨沉积，影响颗粒。
软着陆系统较悬臂桨系统更加先进，SiC桨进入石英工艺炉管后，桨自动下沉放下石英舟和硅片，然后慢慢运行回原点，最后石英炉管的门自动关闭。软着陆系统优点是没有SiC桨对腔体的影响，使得温度均匀性更好，减少了工艺气体在SiC桨上的沉积，从而颗粒更少。
推舟净化柜的顶部装有照明灯；正面是水平层流的高效过滤器及四层推舟的丝杠、导轨副传动系统及SiC悬臂桨座，丝杠的右端安装有驱动步进电机，导轨的两端是限位开关。柜子的下部装有控制电路转接板及净化用风机。 气源柜分为五层。顶部设置有排毒口， 用以排除在换源 过程中泄漏的有害气体。 柜顶设置有三路工艺气体及一路压缩空气的进气接口， 接口以下安装有减压阀、截止阀， 用以对进气压力进行控制及调节。对应于气路，各层分别装有相应的电磁阀、 气动阀、过滤器、单向阀、质量流量控制器、 及DCE源瓶和冷阱等。柜子的底部装有质量流量（MFC）控制器电源、控制开关、保险等电路转接板以及设备总电源进线转接板。
❷ 温度保护是怎样的
过热保护，指温度超过某一阀值时就启动相应的保护功能。电子设备或机械运行中由于能量转换或者摩擦产生热量，会导致运行异常或故障。过热保护采取方式有三种，切断设备运行、降低设备运行性能或者改善通风散热条件。
生产中所用的自动车床、电热烘箱、球磨机等连续运转的机电设备，以及其它无人职守的设备，因为过热或温控器失灵造成的事故时有发生，必须采用相应的保护措施。
一般情况下，使用热敏感的电子元件来组建过热保护电路，当热敏元件监测到主电路设备的温度升高到一定值，其内部的低熔点金属就会发生形变，进而推动主电路断开，达到保护主电路设备的目的;停机散热一段时间后，热敏元件监测到主电路设备的温度降低了，其内部的低熔点金属恢复原有形状，进而使主电路接通，主电路设备又可以正常工作。
KI-31系列产品是一种用双金属片作为感温组件的温控器,电器正常工作时,双金属片处于自由状态,触点处于闭合/断开状态,当温度达到动作温度时,双金属片受热产生内应力而迅速动作,打开/闭合触点,切断/接通电路,从而起到控温作用。当电器冷却到复位温度时，触点自动闭合/打开，恢复正常工作状态。广泛应用于:饮水机、热水器、三明治烤面包机、洗碗机、干燥机、消毒柜、微波炉、电热咖啡壶、电煮锅、冰箱、空调、过胶机、办公设备、汽车座位加热器等电热器具。
❸ 什么是扩散炉它有什么用处
扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一，它的主要用途是对半导体进行掺杂，即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂，但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氢氧合成）两种，扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备，它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。
❹ 有谁知道温度远传仪表的维护和调整需要注意哪些细节呢
由于在设计上已考虑到温度远传仪的长期稳定性，并且温度远传仪出厂前均经过长时间老化和校验，因此在正常的使用情况下，一般无须特别维护。如经验证实是仪表故障，可送本公司维修。公司对本系列产品实行终身维修。
如果发现温度远传仪已不能正常工作，仪表输出电流超过20mA。多数情况是传感器开路所致，也可能是传感器与保护套管的绝缘电阻下降引起（隔离型仪表能防止该故障）。
如果一路输入短路，不会影响仪表工作。当按键选择该回路时，输出电流小于4mA，表头指示低于零点。
仪表调整步骤：
定期校验仪表时需要校正仪表误差，可按下述步骤进行调整：（以四回路Pt100输入量程0～150℃为例）
1.打开仪表面板，按图接通电源。首先在*回路输入端接标准电阻箱，并调整到100Ω，其余回路输入端短路。
2.调节电位器W11，使输出为4mA然后将电阻设置到157.31Ω时再调节W12使输出为20mA，该步骤要反复多次，直止达到满意的精度范围。
3.将标准电阻箱接到第二路，采用步骤2的方法调整调零电位器W21和满量程电位器W22，使输出分别为4mA和20mA即可，调整第二回路时，其余输入回路也应短路。
4.将标准电阻箱分别接到第三、第四回路，重复步骤2。分别调整电位器W31、W32和W41、W42，则全部四个回路完成调整。
❺ 扩散炉智能控制系统怎样用plc设计
扩散炉智能控制系统设计重点有以下几个方面
总体来说，控制系统的选用，可以PLC+上位机，也可以直接PLC 。
1）温度控制，一般采用智能温控仪来控温，扩散炉分为口、中、尾三段独立控温。温度点可以修正补偿。温控仪最好是通信的，这样便于集成控制。
2）功率加热，炉体采用合金炉丝，加热建议采用可控硅移相的方式。
3）气体控制，炉体中得通入比例的气体，这里需要用到MFC精确控温，可以模拟量控制，也可以选用通信方式的。
4）控制系统，必须有几十条工艺可以存储。每条工艺根据需要至少得有10步满足使用。运行过程中，需要根据客户设定的时间推移，程序跳步，动态给定口中尾温度，动态给定气体流量。
5）安全监测设计，口中尾温度超温巡检，切断电源等保护措施。历史事件记录追溯查询。
6) 辅助机构的设计，比如进舟机构。
转载注明出处，请支持原创
❻ 什么是标准气体什么是特种气体
气体工业名词术语（标准气体、高纯气体、特种气体）
1. 特种气体(Specialty gases) ：指那些在特定领域中应用的, 对气体有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。特种气体门类繁多, 通常可区分为电子气体、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等, 广泛用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研究及诊断、食品保鲜等领域。
2. 标准气体(Standard gases) ：标准气体属于标准物质。标准物质是高度均匀的、良好稳定和量值)准确的测定标准, 它们具有复现、保存和传递量值的基本作用, 在物理、化学、生物与工程测量领域中用于校准测量仪器和测量过程, 评价测量方法的准确度和检测实验室的检测能力, 确定材料或产品的特性量值, 进行量 值仲裁等。大型乙烯厂、合成氨厂及其它石化企业, 在装置开车、停车和正常生产过程中需要几十种纯气和几百种多组分标准混合气, 用来校准、定标生产过程中使用的在线分析仪器和分析原料及产品质量的仪器。标准气还可用于环境监测, 有毒的有机物测量, 汽车排放气测试, 天然气BTU 测量, 液化石油气校正标准, 超临界流体工艺等。标准气视气体组分数区分为二元、三元和多元标准气体; 配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2M I 配气允差标准, 但各公司均有企业标准。组分的最低浓度为10- 6级, 组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法, 然后用色谱分析校核, 也可按标准传递程序进行传递。
3、电子气体(Elect ron ic gases) ：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4 _6 m+ p- _4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合，可分为电子级、L S I (大规模集成电路) 级、VL S I (超大规模集成电路) 级和UL S I (特大规模集成电路)级。
4. 外延气体(Cp itax ial gases) ：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD) 的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4 种, 即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀积, 多晶硅淀积, 淀积氧化硅膜, 淀积氮化硅膜, 太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。
5. 蚀刻气体(Etch ing gases) ：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来, 这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是, 图形边缘整齐, 线条清晰, 图形变换差小, 且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体, 通常多为氟化物气体, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污, 所以
其应用范围日益广泛。
1. 特种气体(Specialty gases) ：指那些在特定领域中应用的, 对气体有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。特种气体门类繁多, 通常可区分为电子气体、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等, 广泛用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研究及诊断、食品保鲜等领域。
2、 标准气体(Standard gases) ：标准气体属于标准物质。标准物质是高度均匀的、良好稳定和量值准确的测定标准, 它们具有复现、保存和传递量值的基本作用, 在物理、化学、生物与工程测量领域中用于校. d( [准测量仪器和测量过程, 评价测量方法的准确度和检测实验室的检测能力, 确定材料或产品的特性量值, 进行量值仲裁等。大型乙烯厂、合成氨厂及其它石化企业, 在装置开车、停车和正常生产过程中需要几十种纯气和几+百种多组分标准混合气, 用来校准、定标生产过程中使用的在线分析仪器和分析原料及产品质量的仪器。标准气还可用于环境监测, 有毒的有机物测量, 汽车排放气测试, 天然气BTU 测量, 液化石油气校正标准, 超临界流体工艺等。标准气视气体组分数区分为二元、三元和多元标准气体; 配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2M I 配气允差标准, 但各公司均有企业标准。组分的最低浓度为10- 6级, 组分数可多达20余种配制方法可采用重量法, 然后用色谱分析校核, 也可按标准传递程序进行传递。
3、 电子气体(Elect ron ic gases) ：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合，可分为电子级、L S I (大规模集成电路) 级、VL S I (超大规模集成电路) 级和UL S I (特大规模集成电路)级。
4. 外延气体(Cp itax ial gases) ：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD) 的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4 种, 即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀积, 多晶硅淀积, 淀积氧化硅膜, 淀积氮化硅膜, 太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单 晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。
5. 蚀刻气体(Etch ing gases) ：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来, 这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是, 图形边缘整齐, 线条清晰, 图形变换差小, 且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体, 通常多为氟化物气体, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污, 所以其应用范围日益广泛。
6. 掺杂气体(Dopant Gases)：在半导体器件和集成电路制造中, 将某种或某些杂质掺入半导体材料内, 以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率, 用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气) 在源柜中混合, 混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周, 在晶片表面沉积上化合物掺杂剂, 进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。
7. 熏蒸气体(Sterilizing Gases) ：具有杀菌作用的气体称熏蒸气体。常用的气体品种有环氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、环氧丙烷等。其灭菌原理是利用烷化作用, 使微生物组织内维持生命不可缺少的物质惰化。最经常使用的是以不同比例配制的环氧乙烷和二氧化碳的混合气, 根据用途不同, 环氧乙烷的含量可以是10 %、20 %和30 %等。也可采用环氧乙烷和氟利昂12 的混合气,环氧乙烷与氟利昂11 和氟利昂12 的混合气等。杀菌效果与各组分浓度、温度、湿度、时间和压力等因素有关。熏蒸气体可以用于卫生材料、医疗器具、化妆品原料、动物饲料、粮食、纸钞、香辣
8. 焊接保护气体(Welding Gases)：气体保护焊由于具有焊接质量好, 效率高, 易实现自动化等优点而得以迅速发展。焊接保护气体可以是单元气体, 也有二元、三元混合气。采用焊接保护气的目的在于提高焊缝质量, 减少焊缝加热作用带宽度, 避免材质氧化。单元气体有氩气、二氧化碳, 二元混合气有氩和氧, 氩和二氧化碳, 氩和氦, 氩和氢混合气。三元混合气有氦、氩、二氧化碳混合气。应用中视焊材不同选择不同配比的焊接混合气。
9. 离子注入气( Gases for Ion Implantation)：离子注入是把离子化的杂质, 例如P + 、B + 、As+加速到高能量状态,然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制V th(阈值电压) 方面应用得最为广泛。注入的杂质量可通过测量离子束电流而求得。离子注入工艺所用气体称离子注入气, 有磷系、硼系和砷系气体。
10. 非液化气体(Nonliquefied Gases)：压缩气体依据于一定压力和温度下在气瓶中的物理状态和沸点范围可以区分为两大类, 即液化气体和非液化气体。非液化气体系指除溶解在溶液中的气体之外, 在2111 ℃和罐装压力下完全是气态的气体。也可定义为在正常地面温度和13789～17237kPa 压力下不液化的气体。
11. 液化气体( Liquefied Gases )：在2111 ℃和罐装压力下部分液化的气体。或定义为在正常温度和172142～17237kPa 压力下在气瓶中液化的气体。压缩气体(Compressed Gases) 压缩气体是指在2111 ℃下, 在气瓶中绝对压力超过27518kPa 的任何气体或混合物; 或与2111 ℃下的压力无关, 于5414 ℃下绝对压力超过717kPa 的任何气体或混合物; 或于3718 ℃下气体绝对压力超27518kPa 的任何液体。
12. 稀有气体(Rare Gases)：元素周期表最后一族的六种惰性气体中的任何一种气体, 即氦、氖、氩、氪、氙、氡。前五种气体均可以空气分离方法从空气中提取。
13. 低压液化气体(Low P ressu re L iquef ied Gases) ：临界温度大于70℃的气体。区分为不燃无毒和不燃有毒、酸性腐蚀性气体; 可燃无毒和可燃有毒、酸性腐蚀性气体; 易分解或聚合的可燃气体。此类气体在充装时以及在允许的工作温度下贮运和使用过程中均为液态。包括的气体品种有一氟二氯甲烷、二氟氯甲烷、二氟二氯甲烷、二氟溴氯甲烷、三氟氯乙烷、四氟二氯乙烷、五氟氯乙烷、八氟环丁烷、六氟丙烯、氯、三氯化硼、光气、氟化氢、溴化氢、二氧化硫、硫酰氟、二氧化氮、液压石油气、丙烷、环丙烷、丙烯、正丁烷、异丁烷、1- 丁烯、异丁烯、顺- 2-丁烯、反- 2- 丁烯、R142b、R 143a、R152a、氯乙烷、二甲醚、氨、乙胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、甲硫醇、硫化氢、氯甲烷、溴甲烷、砷烷、1, 3—丁二烯、氯乙烯、环氧乙烷、乙烯基甲醚、溴乙烯。
14. 高压液化气体(H igh P ressu re L iquef iedGases) ：临界温度大于或等于- 10℃且小于或等于70℃的气体。区分为不燃无毒和不燃有毒气体; 可燃无毒和自燃有毒气体; 易分解或聚合的可燃气体。此类气体充装时为液态,但在允许的工作温度下贮运和使用过程中其蒸汽压随温度的升高而升高, 超过临界温度时蒸发为气体。所包括的气体品种有一氧化二氮、二氧化碳、三氟甲烷、三氟氯甲烷、三氟溴甲烷、六氟乙烷、六氟化硫、氙、氯化氢、乙烷、乙烯、1, 1- 二氟乙烯、硅烷、磷烷、氟乙烯、乙硼烷。
❼ ~锂电池保护板~的主要技术参数有哪些
1.PCM基本规格
项
目
设
计
值
备
注
1.1尺寸（长×宽×高）
85mm*70mm*12mm
不包含线束
1.2保护板散热方式
氧化铝散热片
1.3充放电回路是否分开
是
1.4最大持续工作电流
20A
1.5峰值工作电流
40A
持续1分钟
1.6正常工作导通内阻
≤6mΩ
PCM上B-到P-间
1.7电池组两级电压保护
无
1.8电池组平衡管理方式
电阻均衡
1.9充电过流保护恢复方式
无
1.10放电过流保护恢复方式
断开负载
自动恢复
1.11充电器反接保护
无
1.12负载浪涌吸收保护
无
1.13负载反电动势吸收保护
无
1.14静态功耗
<55uA
正常工作时
<30uA
休眠后
1.15工作温度
-40℃～85℃
1.16存储温度
-40℃～125℃
2.基本保护参数
项
目
设计值
备
注
2.1过充电保护检测电压（单节）
3.80±0.025V
2.2过充电保护延迟时间
1S
2.3过充电保护恢复电压（单节）
3.60±0.050V
2.4过放电保护检测电压（单节）
2.20±0.080V
2.5过放电保护延迟时间
100mS
2.6过放电保护恢复电压（单节）
2.50±0.100V
2.7充电过电流保护电流
无
最大充电电流10A
2.8放电过电流保护电流
70A±8A
*1
2.9放电过电流保护延迟时间
20mS
2.10放电短路保护延迟时间
300uS
典型值
2.11充放电高温保护温度
无
预留温度开关接口
2.12充放电高温保护恢复温度
无
2.13向0V电池充电功能
有
3.均衡管理参数
项
目
设计值
备
注
3.1均衡起动电压
3.65V±0.025V
电阻均衡
3.2均衡截止电压
3.55V±0.050V
电阻均衡
3.3均衡电流
55mA±5mA
电阻均衡
保护板的型号是有区别的
这只是其中的一种
希望对你有用
❽ 干式变压器有哪些保护
干式变压器有的保护：
1、瓦斯保护。
瓦斯保护是指干式变压器发生内部短路（包括匝间短路），但是短路电流达不到电流保护定值时，而使被保护变压器直接跳闸的一种保护。它属于干式变压器的主保护，正常运行中不能解除。变压器按照瓦斯继电器的动作压力分为轻重两种情况，重瓦斯动作于跳闸，轻瓦斯根据情况可动作于跳闸，也可动作于信号。
2、温度保护。
干式变压器一般设置了两个层次的温度保护：低温报警、高温跳闸，具体温度值的设定可根据变压器厂家的说明来进行。
知识点延伸：
干式变压器就是指铁芯和绕组不浸渍在绝缘油中的变压器。干式变压器广泛用于局部照明、高层建筑 、机场，码头CNC机械设备等场所。
❾ 48所扩散炉出现第一温区显示1600度热电偶为 A短路 B断路 C无异常
扩散炉出现第一温区显示1600度热电偶为：B断路。
温度仪表都有断路报警，当热电偶有断路时，仪表会显示最高温度，以引起监盘人员的注意。